概要 CS5250E是一款采用CMOS工艺,电容式升压型GF类单声道音频功放,可以为4Ω的负载提供较高5.3W的连续功率;CS5250E芯片内部固定的28倍增益,有效的减少了外围元器件 的数量;功放集成了D类和AB类两种工作模式即可保证D类模式下强劲的功率输出,又可兼顾系统在有FM的情况下,消除功放对系统的干扰;CS5250E具有*特的防破音(NCN)功 能,可根据输出信号的大小自动调整功放的增益,实现更加舒适的听觉感受. CS5250E的外围只有低成本的阻容器件,在以锂电池供电的移动式音频设备中,CS5250E是理想的音频子系统的功放解决方案.CS5250E的全差分架构和较高的PSRR有效地提高了CS5250E对RF噪声的抑制能力。另外CS5250E内置了过流保护和过热保护,有效的保护芯片在 异常的工作条件下不被损坏。 CS5250E提供了ESOP10的封装类型,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。 特征 集成Charge Pump升压模块,集成AB类D类两种工作模式GF类音频功放, 输出功率 Po at VBAT = 5.0V, RL=4Ω,Cout=470uF THD+N=10% 5.3W(NCN OFF@D MODE) THD+N=1% 4.3W(NCN OFF@D MODE) Po at VBAT = 3.4V, RL=4Ω+33uH,Cout=470uF THD+N=10% 3.4W(NCN OFF@D MODE) THD+N=1% 3.0W(NCN OFF@D MODE) Po at VBAT = 5.0V, RL=4Ω,Cout=100uF THD+N=10% 4.9W(NCN OFF@D MODE) THD+N=1% 3.9W(NCN OFF@D MODE) Po at VBAT = 3.6V, RL=4Ω+33uH,Cout=100uF THD+N=10% 3.1W(NCN OFF@D MODE) THD+N=1% 2.7W(NCN OFF@D MODE) 输入电压范围:2.7~5.5V 关断电流: <1μA 待机电流: 20mA@5V D类调制频率: 350KHz 防破音模式开关 AERC**技术,提供优异的全带宽EMI抑制能力 优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力 高的电源抑制比(PSRR):在217Hz下为-80dB 过温保护 过压保护 应用 蓝牙音箱、便携式音频设备